Samsung'un 1.4nm Sürecine İlişkin İlk Detaylar Ortaya Çıktı - Dünyadan Güncel Teknoloji Haberleri

GAA tabanlı SF3E’nin piyasaya sürülmesinden sonra Samsung üretim düğümlerindeki belki de en büyük revizyon, Samsung’un SF1

Transistör başına nano tabaka sayısını artırmak, sürüş akımını artırarak performansı artırabilir Şirket bu teknolojiyi çeşitli çipler yapmak için kullanıyor ancak düğümün kullanımının, kripto para madenciliği için kullanılanlar gibi küçük çiplerle sınırlı olduğuna inanılıyor Ayrıca, daha fazla nano tabaka, akım akışının daha iyi kontrol edilmesine yol açabilir, bu da kaçak akımın azaltılmasına yardımcı olabilir ve böylece güç tüketimi azaltılabilir Ayrıca, akım akışı üzerinde gelişmiş kontrol, transistörlerin daha az ısı üretmesi anlamına da gelir ve bu da güç verimliliğini artırır Daha fazla nano tabaka, transistörden daha fazla akımın geçmesine olanak tanıyarak anahtarlama yeteneklerini ve çalışma hızını artırır 4 (1

Samsung ayrıca 2025’te, yalnızca GAA transistörlerine dayanmakla kalmayıp aynı zamanda transistör yoğunluğu ve güç dağıtımı söz konusu olduğunda önemli faydalar sağlayan arka taraf güç dağıtımını da içerecek olan SF2 (2nm sınıfı) üretim sürecini tanıtmayı planlıyor 4 teknolojisinin nano tabaka sayısını üçten dörde çıkararak ek bir nano tabaka kazanacağı 2027’de gerçekleşecek

Samsung Foundry başkan yardımcısı Jeong Gi-Tae, Samsung’un yaklaşan SF1

Samsung, 2022’nin ortalarında SF3E (aynı zamanda 3nm sınıfı her yönüyle geçit kulağı, 3GAE olarak da bilinir) ile her yönüyle geçit (GAA) nano tabaka transistörlerine dayanan bir süreç teknolojisini tanıtan ilk şirket oldu Bu hamle, performans ve güç tüketimi açısından önemli faydalar sağlamayı vaat ediyor 4nm sınıfı) proses teknolojisinin nano tabaka sayısını üçten dörde çıkaracağını söyledi Bu şirketler nano tabaka tabanlı düğümlerini piyasaya sürdüğünde, Samsung, her yönden geçit transistörleri konusunda önemli bir deneyime sahip olacak ve bu, dökümhane için faydalı olabilir

Hem Intel hem de TSMC, sırasıyla 2024 ve 2025’te 20A ve N2 (2nm sınıfı) işlem teknolojileriyle GAA transistörlerini kullanmaya başlamayı planlıyor